5.MOSFET选择
MOSFET承受的最高电压为VINMAX，考虑到抛负载保护，选取耐压40V以上的MOS。MOSFET的损耗，可由以下公式估算，
导通损耗：
开关损耗
tON、tOFF为MOSFET开通和关断时间。
ISINK：为驱动下拉电流，NCV8852的驱动下拉电流典型值为200mA.
ISRC：为驱动的输出电流，NCV8852的驱动输出电流典型值为200mA
选取安森美半导体的NVTFS5116PL，耐压60V，导通电阻Rdson=52mΩ@VGS=10V，QGD=8nC，封装u8FL，参考热阻(芯片结温到环境温度)47℃/W。
由QGD可先计算出MOSFET的开通关断时间为：
计算MOSFET功耗：
在最高输入电压下
MOSFET的结温为
TA_MAX为最大环境温度，车载USB电源一般要求为85℃。150℃为最大结温。
在最低输入电压下
MOSFET的结温为
