在做直流无刷电机控制时，调试时电机刚启动，就出现烧MOS管，同时也会烧毁单片机的现象？本文将举例说明其原因。
R2110是浮地驱动芯片，高端驱动利用浮地电容中的电荷驱动，只能驱动电压驱动功率管，如MOSFET或IGBT。
上图有两个问题：1、浮地电容太大，影响快速开关；2、高端驱动利用的是浮地电容中的电荷，选取电容时要使用漏电流小的瓷片电容，尽量保证高端驱动时有足够的驱动电压。上图在每个高端MOSFET 的栅极和源极之间10K的电阻将迅速将电容中的电荷放光，使得栅极驱动电压下降。在栅极驱动电压下降的过程中，MOSFET进入放大区，管压降迅速增加， 将MOSFET烧毁;至于烧单片机，是因为没有将强电部分和控制部分隔离，烧毁MOS管的同时，高压信号串入控制板，除非功率部分不出故障，否则烧坏单片机是不可避免的。
每个MOSFET的栅源极之间反向并联的18V稳压二极管很好,可以避免尖峰电压脉冲击穿栅源极，但是与之并联10K的电阻将驱动电荷给放掉了 (结合IR2110的内部原理图分析)，而且在此过程中使得MOS管进入放大区导致过热烧毁，可以把这个电阻去掉试试看；另外如果采用IGBT，推荐使用IRF的600V产品，耐压和电流余量放大些，在2110的VCC和COM之间靠近2110处再接一个4.7微法的独石电容，驱动信号如果是TTL电平，那么就将VDD接5V电源，以保证驱动信号兼容TTL电平。
总结：例图里面出现了几个致命的问题：
1)PWM千万别用廉价MCU软件产生，因为上电过程和死机状态根本无法确定；
2)D3/D4/D6/D7改成10BQ040，1N4148在这其实是添乱；
3)Q2的D到Q5的S和Q3的D到Q6的S接CBB18/630V/224的电容，千万不可改变；
4)建议换掉仙童的FET，主要是该公司的元件分散性太差，做单管的电源还可以，做其它的太难用；
5)去掉RCD吸收；
6)每半桥的两FET间要近；
7)滤波电容必须靠FET安装,间距必须小于5CM；
8)注意散热。
