在电源设计中，工程师通常会面临控制IC驱动电流不足的问题，或是由于栅极驱动损耗导致控制IC功耗过大的问题，为缓解这些难以避免问题，工程师通常会采用外部驱动控制。最重要的是工程师如何解决控制IC驱动电流不足，需要利用几个部件构建独立驱动器，具有同步整流器的电源可使用变压器的绕组电压来驱动栅极。
解决方案：
简单的缓冲器可驱动2Amps以上的电流
FMMT618的更高电流驱动器可增强驱动能力
在电源设计中，工程师通常会面临控制IC驱动电流不足的问题，或者面临由于栅极驱动损耗导致控制IC功耗过大的问题。为缓解这一问题，工程师通常会采用外部驱动器。半导体厂商(包括TI在内)拥有现成的MOSFET集成电路驱动器解决方案，但这通常不是成本最低的解决方案。通常会选择价值几美分的分立器件。
图1:缓冲器可驱动2Amps以上的电流
图1中的示意图显示了一个NPN/PNP发射跟随器对，其可用于缓冲控制IC的输出。这可能会增加控制器的驱动能力并将驱动损耗转移至外部组件。许多人都认为该特殊电路无法提供足够的驱动电流。
如图2中hf曲线所示，通常厂商都不会为这些低电流器件提供高于0.5A的电流。但是，该电路可提供大大高于0.5A的电流驱动，如图1中的波形所示。就该波形而言，缓冲器由一个50Ω源驱动，负载为一个与1Ω电阻串联的0.01 uF电容。该线迹显示了1Ω电阻两端的电压，因此每段接线柱上的电流为2A.该数字还显示MMBT2222A可以提供大约3A的电流，MMBT3906吸收2A的电流。
事实上，晶体管将与其组件进行配对(MMBT3904用于3906,MMBT2907用于2222)。这两个不同的配对仅用于比较。这些器件还具有更高的电流和更高的hfe, 如FMMT618/718对，其在6A电流时具有100 的hfe(请参见图2)。与集成驱动器不同，分立器件是更低成本的解决方案，且有更高的散热和电流性能。
图2:诸如FMMT618的更高电流驱动器可增强驱动能力
