电路可靠性,也就是电路抗电气故障的鲁棒性,它日益成为IC设计师的关注点。有很多问题多年来已为人所知,有时人们觉得可靠性风险主要是最新制程才会面临的问题。小器件、细导线、薄栅氧化层受到过度电性应力的影响,而新制程世代，对特定形状、图案也更为敏感。然而,如果设计师在成熟节点上不存在电路可靠性问题的话,那他今后的电路设计中很可能面临着潜在风险。
这是为何?
因为即使是在成熟的制程上 , 工程师们也会从上面不断榨取性能、功能、面积及其他相关指标 , 以期获得更高的投资回报(ROI)。越老的制程的不确定性可能会越少 , 但每一轮新的设计浪潮都会因为有不同的应用需求、及环境条件而引发新的可靠性问题。例如 , 汽车和医疗相关应用芯片设计目前是采用成熟制程技术的新驱动力量。这些应用和采用前沿制程的常见消费型应用相比 , 具有完全不同的设计需求及工作环境。
这样就需要有新的工具和方法 , 来确保新制程和成熟制程的电路可靠性。例如, 汽车设备上更高的电压导致了更高的EOS风险 , 因此设计师需要更努力来确保具有较薄的栅氧化层的数字晶体管不会连接到50伏的电源上。不仅如此,采用高压设计的电路也需要增大特定位置上的版图图案间间距。
针对这样设计的验证 , 我们只需要检查某些特定区域即可 , 如果将整个芯片都执行符合高压设计规则的较大间距DRC检查 , 则将导致极端保守的设计考虑 , 以及过大的裸片面积和更高的制造成本。
有限的传统方法
很多设计团队采用用户生成(user-generated)的标志层(marker layers)或文本点(text points)来检查EOS问题 , 但这是容易出错的方法 , 需要设计师人工判定电压如何在电路节点之间变化、并人工标出需要符合高压设计规则的正确区域。随着电路功能的密集改版更新 , 标志层(marker layers)是极难保持的。
在芯片设计日益复杂的今天 , 我们也面临了其他的风险：静电放电(ESD)、闩锁(latch-up)、电迁移(EM)等已知故障机制不能为标准设计做法所完全防止。
其中电迁移在很多代IC上一直是困扰设计师的问题。然而 , 结合了更高驱动强度和采用更细导线在14/16nm实现的FinFET技术 , 成为因电迁移而产生的电路故障的另一个起因。采用传统方法进行EM检查 , 将耗费巨大的运算资源 , 需要在整个芯片的每一个部分都提取寄生模型、进行电流仿真和标注最后结果。常见的16nm/14nm片上系统会有数十亿个组件 , 想当然耳 , 而进行这样的传统检查过程将非常缓慢 , 是不可接受的。
此外也因为目前所制造的晶体管栅极下的氧化层更薄 , 使得相关器件更容易受到EOS的影响。更困难的是 , 由于现代省电芯片的设计 , 大多数都采用多电源域(multi-power-domain)的策略 , 意味着一个芯片可能有着数十个不同的电源供电。这种更大的复杂性使得检查出完整的潜在EOS问题变得极度困难。实际上 , 整个芯片的EOS检查超出了以往各种工具所提供的标准电路仿真和验证方法的能力。
