三极管在现代电路设计中已经非常常见，尤其是在开关电路当中。一些经典的电路，如74LS、74ALS都使用了三极管开关电路，只不过其在电路中的驱动能力一般而已。
TTL晶体管由三极管组成，按驱动能力区分为小信号开关电路和功率开关电路，按晶体管连接方式分为发射极接地(PNP晶体管发射极接电源)和射级跟随开关电路。
发射极接地开关电路
NPN型和PNP型基本开关原理图：
上面的基本电路离实际设计电路还有些距离：由于晶体管基极电荷存储积累效应使晶体管从导通到断开有一个过渡过程(当晶体管断开时，由于R1的存在，减慢了基极电荷的释放，所以Ic不会马上变为零)。也就是说发射极接地型开关电路存在关断时间，不能直接应用于中高频开关。
实用的NPN型和PNP型开关原理图1(添加加速电容)
解释：当晶体管突然导通(IN信号突然发生跳变)，C1瞬间短路，为三极管快速提供基极电流，这样加速了晶体管的导通。当晶体管突然关断(IN信号突然发生跳变)，C1也瞬间导通，为卸放基极电荷提供一条低阻通道，这样加速了晶体管的关断。C通常取值几十到几百皮法。电路中R2是为了保证没有IN输入高电平时，三极管保持关断状态;R4是为了保证没有IN输入低电平时三极管保持关断状态。R1和R3是基极电流限流用。
实用的NPN型开关原理图2(消特基二极管钳位)
解释：由于消特基二极管Vf为0.2至0.4V，比Vbe小。所以当晶体管导通后大部分的基极电流是从二极管通过三极管到地的，这样流到三极管基极的电流就很小，积累起来的电荷也少，当晶体管关断(IN信号突然发生跳变)时需要卸放的电荷少，关断自然就快。
实际电路设计
在实际电路设计中需要考虑三极管Vceo，Vcbo等满足耐压，三极管满足集电极功耗;通过负载电流和hfe(取三极管最小hfe来计算)计算基极电阻(要为基极电流留0.5至1倍的余量)。注意消特基二极管反向耐压。
本篇文章从电路设计之初的原理到实际设计，对TTL晶体管开关电源的原理经进行了非常透彻的讲解和分析，希望各位在看过这篇文章之后能对三极管组成的TTL晶体管有更深一步的了解。
