随着越来越多的无线标准和频带支持越来越多的应用，意法半导体开始支持市场对高性能和高集成度的需求。意法半导体新推出的STW81200 射频合成器采用BiCMOS (SiGe) 制造技术，单片集成宽带压控振荡器 (VCOs, voltage-controlled oscillators) 、双架构分数整数锁相环 (PLL, phase-locked-loop) 内核、低噪稳压器，以及符合各种射频要求的可编程硬件选件。
在基站、射频链接、卫星、通信、测试测量等射频应用中，系统的总体性能与射频合成器相噪特性密切相关。这些射频应用需要高集成度和优化的成本，同时又不能牺牲射频性能。在满足这些要求过程中，作为市场上灵活性最高的射频合成器，STW81200支持多频多标准且可软件定义的50MHz到6GHz射频输出，同时提供 -227 dBc/Hz归一化带内相噪层，当通信载波为4.0GHz、频率偏移1MHz时，压控振荡器相噪为 -135 dBc/Hz，噪声层为-160 dBc/Hz。
5V、3.6V或3.0V非稳压单电源让STW81200在市场上独一无二，优调的功耗和性能使其应用范围从传统市电供电基础设施扩展至依靠电池供电的便携装置。
随着意法半导体的STW8110x产品家族的成功发展，新款的射频合成器的性能和灵活性越来越高，可以在同一电路板设计上支持多频带和多射频标准(logistic)。此外，更高的集成度和降低的材料成本有望为客户节省更多资源。
STW81200稳健的设计符合射频基础设施用例的要求。
STW81200现在已进入产能提升阶段。
