MRAM是磁阻随机访问内存的简称，其能够以磁荷作为数据的存储介质来进行存储。这项能够颠覆现代存储领域的技术被TDK公司抬升到了一个全新的高度。TDK公司生产出了MRAM的原型实物，这就意味着这种技术在未来将有可能替代闪存技术。
在读写速度上，MRAM与SRAM、DRAM不相上下。不仅如此，由MRAM存储的数据将是非易失性的，也就是说MRAM能够进行断电保存，可以说MRAM综合了RAM、Flash的优点。TDK多年来一直在研究STT-MRAM，但此前从未公开展示。这次拿出的原型芯片和一个NOR Flash闪存进行了肩并肩对比，读写数据的速度是后者的7倍多——342MB/s VS. 48MB/s。
需要指出的是，目前对MRAM进行的试验，使用的是容量较小的芯片，如果当配备容量更大的芯片，MRAM的表现相比将更加优异。目前，TDK已经试产了一块8英寸(200毫米)的MRAM晶圆，但它没有量产能力，商用的时候必须另外寻找代工伙伴。对于外界关心的何时能正式投入使用的问题。TDK表示，就目前的开发进度和技术水平来说，想要将MRAM投入市场至少好需要十年的时间。
至于这项比普通闪存快7倍的技术何时能实际投入使用，目前还没有确切时间，但是TDK表示可能需要长达10年。值得注意的是，目前不止TDK，英特尔、东芝、三星、IBM、海力士等知名企业也都在对MRAM进行不同程度上的开发和研究。
