今年是半导体产业整并及寻找替代技术创记录的一年，日前，于美国加州举行的IEEES3S大会上，虽然晶片制造成本与复杂度逐年提升，但多数工程师竟然掌握了更多关于绝缘覆矽(SOI)、次阈值电压设计与单晶片3D整合等相关技术，同时也听说产业重组与整并的几起传闻。
截至目前为止，今年全球半导体公司已经完成了23笔收购交易了，这比起过去两年的交易数总和还更多，摩根士丹利(MorganStanley)半导体投资银行全球负责人MarkEdelstone在发表专题演讲时透露。他同时预测今年的全球并购交易总值可能从174亿美元增加到近300亿美元。
资金成本较低正为所有的产业掀起并购浪潮，而晶片制造成本和复杂度的增加更助长了半导体产业的并购。目前制造一个20nm晶片的成本约需5,300万美元，较制造28nm晶片成本所需的3，600万美元更大幅提高，预计到了16/14nm节点时还将出现另一次跃升的高成本。
要在这样的投资环境下赚钱，真的需要非常大的市场，而且还会对半导体产业的发展带来巨大的影响。到了16/14nmFinFET世代，每闸极成本仍持续地攀升，这将显着地改变半导体产业现状——事实是：规模决定成败。如今在整个产业中，每电晶体成本仍不断上升中。不过，英特尔(Intel)在今年9月时透露，其14nmFinFET制程将可支援更低的每电晶体成本。
14/16nmFinFET制程节点象征着产业今后发展的主流方向，但完全耗尽型(FD)和极薄的SOI制程也有机会。 有些对成本敏感的行动晶片由于考虑到成本将会避免采用14nm和10nmFinFET制程，而且时间可能长达4至6年。SOI可说是为其提供了另一种替代方案，它能以接近28nm聚合物电晶体的成本，达到20nmbulk电晶体的性能，不过他认为在市场压力下所有的bulk电晶体成本还会进一步下降。
此外，联发科(Mediatek)介绍了一个次阈值设计案例，该公司远大目标在于推动晶片达到漏电流和动态能量交会的最小能量点，这同时也是在她的博士论文和ISSCC2004论文中提出的一个概念。
