神预言 英特尔将于2016年率先进入10纳米?

2015-04-24 09:15 来源:电子信息网综合 作者:铃铛

根据外媒爆料,近期某半导体行业分析师对英特尔目前正在研发的技术进行了分析,并根据分析结果提出了一则预言。如果这位分析人士的预言成真,那么英特尔将在即将到来的下一个制程时代中大幅超前其他进争对手。

这位分析师在他自己的网站发表一篇分析文章(参考连结),指出英特尔将会在10纳米节点采用量子阱FET。这种新的电晶体架构将会采用两种新材料──以砷化铟镓制作n型电晶体,以应变锗制作p型电晶体。

若预测正确,英特尔最快在2016年可开始生产10纳米制程电晶体,且功耗能比其他制程技术低200毫伏(millivolts)。分析师预期,其他半导体制造业者在7纳米节点之前难以追上英特尔的技术,差距约是两年。英特尔可能还要花一年多的时间才会公布其10纳米制程计画。

英特尔曾在2009年的IEDM会议论文透露其正在开发的InGaAs制程技术。分析文章是根据对英特尔在年度IEEE国际电子元件会议(IEDM)发表的数十篇篇论文研究所得,此外还有英特尔与晶片制造相关的专利。分析师在接受EETimes美国版访问时表示:“我所看到的一切都朝这个方向发展,问题应该不在于英特尔会不会制作量子阱FET,而是他们会在10纳米或7纳米节点开始进行。”

在电晶体通道采用复合半导体材料并非只有英特尔一家在研究,但显然到目前为止没有人做到像英特尔所发表的这么多,英特尔在锗材料方面的论文与专利很少,但该技术较广为人知。此外他预期英特尔会采用纯锗,不过也可能会透过先采用矽锗来达到该目标。

值得注意的是,该分析师将分析报告对外公布之前,曾将其提供给英特尔查看。但英特尔却并未因此份报告而对外发表任何声明。

英特尔 半导体 砷化铟镓

一周热门

2018电源网工程师巡回研讨会