尽管iPhone6的后续产品还没有推出，但人们已经开始期待第七代产品。经常关注苹果产品动向的果粉们肯定知道，想要知道苹果最新产品的一些硬件配置，最好的方法就是关注与苹果又合作关系的零件供应商。继而从供应商生产工艺的改变观察到苹果新产品的蛛丝马迹。几天之前，SanDisk和东芝均推出了最新一代的NAND闪存，而根据最新的消息来看，这种新闪存将很有可能被应用到苹果将在2016年推出的iPhone7身上，带来更快、更大的存储速度和空间。
两家存储巨头开发出的世界首款256GbitX348层3DNAND闪存，采用3bit/cell多值化技术，容量为32GB。简单地说，这种32GB的闪存模块无论是在速度还是效率上，都要超过任何现有的产品。目前，这种256GbitX3芯片采用了15nm的工艺，比市面上最优秀的商用闪存芯片电路密度提高了2倍、存储速度提高4-5倍，而能耗将进一步降低。并且，因为采用了3D堆栈技术，新芯片的面积将缩小，非常适合智能手机、平板电脑之类的设备。
拥有如此优秀的供应商，苹果当然不会轻易放弃。况且之前苹果与SanDisk、东芝已经建立了合作伙伴关系，因此我们有理由相信苹果会在第一时间为自己的产品使用这种最新的闪存技术。
苹果的第六代iPhone系列产品均采用SanDisk和东芝的供货，对着全新闪存技术的问世，果粉们将很有可能在iPhone7上看到两家公司为苹果产品带来的新的变革，这将意味着iPhone7将在存储能力与传输速度上获得大幅度的提升。
