科技迅速发展的今日，3D闪存领域也是日新月异。纵观该领域的发展，三星可谓独占鳌头，接连推出的两代立体堆叠闪存分别有24层、32层，并成功应用与多款固态硬盘产品，如850 Pro等。为了打破日本东芝的抢先垄断地位，三星日前直接推出了可应用于固态硬盘（SSD）中的48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片，并实现量产。抛开售价，三星第三代3D闪存从质量上看，比东芝产品来说要“良心”。优势表现在MLC颗粒以及量产能力上，其量产效率还提升了40%。
三星量产第三代3D闪存 效率提升40%
3D闪存领域一直是三星产品占尽先机，这次虽然时间上推后，但无论是质量还是量产都成为了众人瞩目的焦点。与第二代相比，第三代的优势在于：TB级别，翻倍提升SSD存储容量。在单芯片存储量上提高到32GB。与传统的NAND相比，质量有显著提升。
一个手指尖大小的芯片，就能够存储256GB数据。这就是三星第三代所达成的效果。根据第三代生产数据所得，新一代V-NAND闪存中，每个单元都采用相同的3D Charge Trap Flash（简称CTF）结构设计，每片芯片存储单元阵列垂直堆叠48层，利用其特殊的蚀刻技术，通过18亿个通道孔在阵列上实现电子互连。每个芯片共包含853亿个单元。单个存储单元为3bit，一共能存储2,560亿位的数据。与32层3bit MLC 128Gb V-NAND闪存相比，当存储相同容量的数据时，一个48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存功耗能减少30% 。
