东京—东芝公司（TOKYO：6502）今日宣布研发全球首款*1运用硅通孔（TSV）技术的16颗粒（最大）堆叠式NAND闪存。将于8月11日至13日在美国圣克拉拉举行的2015年闪存峰会（Flash Memory Summit 2015）上展示其原型。
NAND闪存
堆叠式NAND闪存的先前技术是在封装内运用引线接合法连接在一起。而TSV技术利用垂直电极和贯穿硅芯片模的通孔实现连接。该技术支持数据高速输入和输出，并降低功耗。
东芝TSV技术实现超过1Gbps的I/O数据速率，高于具有低电源电压的任何其它NAND闪存。核心电路1.8V，I/O电路1.2V，写入操作、读取操作和I/O数据传输的功耗降低约50%*2。
这款全新的NAND闪存为包括高端企业级SSD在内的闪存应用提供理想的低延迟、高带宽和高IOPS/Watt解决方案。
这项应用技术部分由日本新能源和工业技术开发组织（NEDO）研发。
该原型的一般规格
注：
*1：截至2015年8月6日。东芝调查。
*2：与东芝当前产品相比。
