SK海力士将向英伟达供应业界首款HBM3 DRAM

2022-06-09 11:16 来源:美通社 作者:电源网

首尔2022年6月9日 /美通社/ -- SK海力士(或称公司www.skhynix.com宣布公司开始量产 HBM3 -- 拥有当前业界最佳性能的 DRAM


* HBM (High Bandwidth Memory,高带宽存储器):是由垂直堆叠在一起的 DRAM 芯片组合而成的高价值、高性能内存,其数据处理速度大幅领先于传统 DRAMHBM3 DRAM 是第四代 HBM 产品,此前三代分别为 HBM(第一代)、HBM2(第二代),以及 HBM2E(第三代)。

SK海力士于去年十月宣布成功开发出业界首款 HBM3 DRAM,时隔七个月即宣布开始量产,这有望进一步巩固公司在高端 DRAM 市场的领导地位。


随着人工智能和大数据等尖端技术的加速发展,全球主要科技企业正在探索创新方法,以快速处理增速迅猛的数据量。相较于传统 DRAMHBM 在数据处理速度和性能方面都具有显著优势,有望获得业界广泛关注并被越来越多地采用。

英伟达(NVIDIA)在近日完成了对 SK海力士 HBM3 样品的性能评估。SK海力士将向英伟达系统供应 HBM3,而该系统预计将在今年第三季度开始出货。SK海力士也将按照英伟达的计划,在今年上半年增加 HBM3 产量。

备受期待的英伟达 H100 被认为是当前全球范围内最大、性能最强的加速器。SK海力士的 HBM3 带宽可达 819GB/s,有望增强加速计算的性能。这个带宽相当于能够在每秒传输 163 部全高清(Full-HD电影(每部影片约 5GB)。

SK海力士社长(事业总管)卢钟元表示,与英伟达的紧密合作使得SK海力士在高端 DRAM 市场稳获一流的竞争力。“我们的目标是通过持续、开放式协同合作,成为洞悉和解决客户需求的解决方案提供商(Solution Provider)。

关于SK海力士

SK海力士总部位于韩国, 是一家全球领先的半导体供应商, 为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器), NAND Flash(NAND快闪存储器)CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市, 其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多, 请点击公司网站www.skhynix.com, news.skhynix.com.cn

SK海力士 英伟达 HBM3 DRAM

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