瑞萨电子推出40纳米工艺MCU

2013-08-09 10:00 来源:电子信息网 作者:蒲公英

如今,嵌入式系统在汽车电子系统中的运用越来越广泛,其结构也日趋复杂,而消费者对于电子系统的性能要求也在日益增长,车主们希望其有更快的反馈速率,更简便的操控,以及更强的稳定性。为了适应需求,瑞萨电子推出一款能够满足大规模电路并容纳大量内置程序的微控制器。

快速存取 高耐温性

高性能微控制器必须要拥有大容量的内部闪存以存储复杂的控制算法和应用代码。瑞萨电子的新款微控制器产品主要将对芯片的片上闪存进行扩展。

一块高性能微控制芯片不仅要拥有大容量的片上闪存,还需要高速的读存取速率,这样CPU才能快速的获取存储的数字信息,并最大限度地提高程序的执行效率。若闪存读取速度缓慢,那么整个逻辑电路就会发生木桶短板效应,发挥不了系统最大的性能。CPU的时钟周期如果被浪费用来等待闪存读取,那么整个系统的执行效率显然会降低。改进应用程序性能和简化系统设计对于获得最快的闪存读存取速度至关重要。

下图为瑞萨电子MCU发展时间-闪存读取速度图:可以看到,到2010年,瑞萨MCU芯片大小为40纳米,响应频率大大超过100MHz(红色虚线)。而传统MCU芯片供应商(蓝色实线)产品的闪存读取频率仍低于40MHz,很大程度上限制了芯片的性能发挥。

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图1:MCU和内置闪存的工作频率变化历史

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MCU 瑞萨电子

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