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柔性电路助力可穿戴设备
除了传感技术，柔性电路之于可穿戴设备也有重要作用。IBM推出了一种在柔性塑料基板上制造硅基电路的最新低成本技术。虽然IBM承认这种工艺目前还存在一些小的晶体管性能下降的问题，但研究报告认为，IBM完全可以在室温下利用传统工艺制造出价格合理的柔性电路。
这种方法与柔性电路的其它一维和二维材料相比，“那些其它材料在低阻触点、可靠的栅极电介质方面仍存在许多问题。”IBM公司T.J. Watson研究中心研究助理员Davood Shhrjerdi表示。其它方法也可能采用非传统工艺或材料，或者在制造过程中要求高温步骤。
图3： IBM的设计方法示意图。
IBM的方法是受控剥落或片状剥落，在今年早些时候这种方法被描述为硅、锗和111V层的“无切口”去除。因此IBM正在使用这种技术实现低功耗的光电产品。
这种方法极其简单—只要器件基本断裂并且硅基板被剥离之后，器件就可以传送给柔性塑料基带。器件的栅极长度不到30nm，栅极间距为100nm。
据IBM透露，公司生产的功能性SRAM单元的VDD低至0.6V，而且其环形振荡器在0.9V时的一级延时仅为16ps，据称这是已知柔性电路里所报道的最佳值。
具体工艺是这样的：IBM先做出一个基板来，这种基板是特别薄的SOI-ETSOI。然后在这种基板上面沉积一层镍应力层，厚度大约为5至6um。(ETSOI器件是使用22nm CMOS工艺在300mm晶圆上制造出来的)
IBM接着再在应力层上使用一层柔性聚酰亚胺带层。随后研究人员于室温环境下在一边产生一个“应力中断”，并以“机械可受控的”方式将前破裂面沿表面传播，Shahrjerdi表示。
IBM表示使用ETSOI有两个理由。首先，它的特性中包含一个超薄体(60埃)，允许30nm以下的沟道调整，“因此能获得很高的组装密度”，Shahrjerdi指出。第二个特性是非渗杂沟道，可以减小可变性。这种特性允许在芯片上实现灵活的电压调整，他补充道。
