高性能模拟与混合信号IC领导厂商Silicon Labs (芯科实验室有限公司, NASDAQ: SLAB)日前宣布推出业界首款基于CMOS工艺的数字解决方案，可直接替换光电耦合隔离式栅极驱动器(简称光电耦合驱动器)。新型Si826x隔离式栅极驱动器支持高达5kV隔离等级和10kV浪涌保护，其理想的配置和封装特别适合替换光电耦合驱动器，广泛应用于高功率电机控制、工业驱动器、太阳能电源和EV/HEV逆变器、开关模式和不间断电源等。
在电机控制和其他工业电力系统中，需要有长期可靠性、延长的保修期，并且安全运行长达20年，易出故障的光电耦合驱动器往往成为薄弱环节。光电耦合驱动器由于基于LED技术，信号输出容易受到输入电流、温度和老化的影响，而Si826x隔离式栅极驱动器可以消除以上影响。特别是输入开关电流的变化减小，开发人员无需担心老化的影响，由此可简化系统设计。由于具有更高的器件可靠性和更长的生命周期，将帮助系统供应商支持长期质保，并降低产品维修和更换等成本。
基于Silicon Labs经过验证的数字隔离技术，Si826x系列产品与普遍使用的光电耦合驱动器引脚和封装兼容，成为后者的功能升级解决方案。Si826x隔离式栅极驱动器采用调制的高频载波，代替LED光模拟光电耦合驱动器。其简化的数字架构能提供可靠的隔离数据路径，因而无需在启动时做特殊考虑或初始化。虽然Si826x输入电路模拟LED特性，但是由于驱动电流较小，可获得更高的效率。Si826x器件的传播延迟与输入驱动电流无关，因而连续的传播延时短(25ns)、单元间变化小，并且输入电路设计更加灵活。
Si826x隔离式栅极驱动器的传播延迟和斜率与光电耦合驱动器相比低10倍，可提升反馈环路的响应时间，增强系统效率。Si826x器件还具备超强的抗干扰能力，在诸如工业电机控制等恶劣嘈杂环境中，能提供可靠的长时间无毛刺性能。与光电耦合驱动器不同，隔离式栅极驱动器在全温度和时间范围内性能稳定，不会产生漂移。由于以上优势，Si826x系列产品比光电耦合驱动器具有更长的服务寿命和显著的高可靠性。
在电机控制和电源逆变器应用中，Si826x栅极驱动器非常适用于驱动功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管(IGBT)。Si826x器件支持高达30V的栅极驱动电压，峰值输出电流范围0.6-4.0A，可为MOSFET和IGBT应用提供最佳的驱动强度，确保外部开关晶体管的快速开关效率达到最佳状态。
Silicon Labs副总裁暨接入、电源和传感器产品线总经理Mark Thompson表示：“Si826x隔离式栅极驱动器提供封装兼容的解决方案，可直接替换过时的光电耦合驱动器，使工业电机驱动中的隔离技术迈进一大步。Si826x系列产品为开发人员提供更多的封装和输出选择，极大提高设计灵活度。”
