北京时间6月13日消息，据国外媒体报道，英特尔技术研发团队表示，通过三门(tri-gate)晶体管及其他系列新技术，将有助于进一步压缩晶体管体积，进而开发出下一代高处理能力芯片。
英特尔技术研发人员称，凭借三门绝缘、高介电值双电子(high-k gate dielectrics)、金属电极及应变硅(strained silicon)等新技术，公司在进一步压缩晶体管体积的同时，还可进一步提高处理性能并防止电流泄漏。英特尔部件研发和技术部门主管兼制造部门副总裁迈克
