【原创】手把手；教你读懂FET

每个胞的原理结构如图示

红色指示的是FET开关的沟道，兰色的是寄生的体二极管。

平时；FET是关断的。当栅上加正压时；在邻近栅的位置；会吸引许多电子。这样；邻近的P型半导体就变成了N型；形成了连接两个N取的通道（N沟道），FET就通了。显然；FET的耐压越高；沟道越长；电阻越大。这就是高压FET的RDSON大的原因

反之；P沟FET也是一样的，这里不在叙述。

谢谢关注！

所以；功率FET，常被等效为：

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件.具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.

按结构场效应管分为：结型场效应（简称JFET）、绝缘栅场效应(简称MOSFET)两大类

　　按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.

　　按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。

　　场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类

场效应管的主要参数

　　Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.

　　Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.

　　Ut — 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.

　　gM — 跨导.是表示栅源电压UGS — 对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数.

　　BVDS — 漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.

　　PDSM — 最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.

　　IDSM — 最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM

场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.

　　场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件.

　　有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.

　　场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.

继续

得益于多胞结构；FET的寄身二极管拥有了耐受电压击穿的能力。即所谓的雪崩耐量。在数据表中；以EAR（可重复雪崩耐量）和EAS（单次雪崩耐量）表示。它表征了FET抗电压（过压）冲击的能力。因此；许多小功率反激电源可以不用RCD吸收，FET自己吸收就够了。

用在过压比较严重的场合，这点要千万注意啊！大的雪崩耐受力；能提高系统的可靠性！

FET的这个能力和电压；终身不会改变！

看模电就可以了~~~

就这么完了？继续阿....

说得好！

不过，俺是做MOS管厂家的，你们的信息稍微有点过时了

FET是实实在在的物质构成的；里面有导体/半导体/绝缘体。这些物质的相互搭配；做成了FET。那么；任何两个绝缘的导体，自然构成了物理电容——寄生电容。

Cgd+Cgs=Ciss——输入电容

Coss——输出电容

顶！！！！！！！！！

呵呵！Cgd/Cds的绝缘层里有PN结！Cgs里基本没这东西！

再看看这个：

变容二极管