30---50MHZ普遍是MOS管高速开通关断引起：
1、可以用增大MOS驱动电阻；
2、RCD缓冲电路采用1N4007慢管；
3、VCC供电电压用1N4007慢管来解决；
4、或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；
5、在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路；
6、在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE；
7、在变压器的输入电压脚加一个小电容；
8、PCB心LAYOUT时大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能的小；
9、变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。
50---100MHZ 普遍是输出整流管反向恢复电流引起：
1、可以在整流管上串磁珠；
2、调整输出整流管的吸收电路参数；
3、可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗，如PIN脚处加BEAD CORE或串接适当的电阻；
4、也可改变MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡MOSFET；铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点)。
5、增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射。
200MHZ以上开关电源已基本辐射量很小，一般可过EMI标准。
EMI尽量将有高频电流流过的铜箔做在线路板内侧，将流过直流电的铜箔或是低频电流的铜箔放在外侧，高频大电流铜箔尽量短，用EMC的仪器测试都没有什么问题，当然低端的用Pai型滤波就可以，20W以上则要变压器屏敝+共模电感，当有Y电容时，后级纹波的大小对EMI影响较大；另外变压器用铜箔屏敝比绕线效果要好很多，成本也低。反馈电路有谐振时EMI也很难过，特别是从变压器中出来的一串串高频尖峰电压，会使该频段的MEI数值上升10甚至20DB以上，这在恒流开关电源中比较常见。单是怎样把环路面积做到最少，就是很难的问题，共模滤波部分跟初级怎样布局，大电解电容怎样放置，散热器器怎么做，接地应该怎么样接，都需要考虑，X电容与Y电容的排法，都很有讲究。比如：共模电感下面不要走初级的任何铜线，但滤波电路可以通过，如果有PFC电感，这个电感离共模电感要远，而且这个电感下面最好不要放置控制IC，特别是CRM模式的PFC。
