适用于上管的SGT新型功率MOSFET
通常，对于MOSFET，导通电阻Rds(on)和漏极栅极的米勒电容是一个相互矛盾的参数，除非采用新的技术，才能解决这个问题。对于同样面积的晶圆，如果要减小米勒电容，就必须想方法减小漏极和栅极相对接触的面积，最为直观的方法就是对栅极采用一定的屏蔽技术，从而减小漏极和栅极的相对电容。图2就是采用AOS的专利技术SGT所制作的新型的具有极低漏极栅极米勒电容的功率MOSFET。
注意到图2中，除了栅极结构，其他的部分就是标准的采用Trench工艺的MOSFET。栅极被分割成上下两个部分，下部分用一些特殊的材料屏蔽起来，下部分在内部和上部分的栅极相连，而栅极的屏蔽层被连接到源极，从而减小漏极栅极米勒电容。用这种技术设计的MOSFET如AOL1464，其Vds为30V，Vgs在10V条件下Rds(on)为6.2mΩ，而其Crss只有20pF，极大地减小了开关过程中米勒平台的持续的时间，降低了开关损耗。AOL1430，其Vds为30V，Vgs在10V条件下Rds(on)为2.5mΩ，而其Crss为50pF。图3中，下管采用AOS的AOL1428，上管采用AOL1430和其他厂家目前Crss最低的器件的效率曲线，可见，上管采用AOL1430具有非常高的效率。注意：输入电压12V，输出电压 1.7V，开关频率300kHz。
图3 SGT功率MOSFET效率
