从仿真结果看，差模电压为7.5uV，可见差模电感对称放置对共模转化为差模有很明显的抑制作用。在实际当中，由于成本和空间所限，经常只能加入一个差模电感，这样不可避免的会引入阻抗不平衡。那么我们的解决方法为，可以通过加大输入端的X电容来解决。我们来通过实例说明一下。下图中是加了一个100uH电感，同时在输入端加0.1uF X电容的效果：
加入电容后效果
差模电压为10uV，远低于前面数据中的166uV，差异仅仅是一颗0.1uF的X电容。如果继续加大X电容，效果应该更好。
测试结果
将X电容从0.1uF改为0.47uF后，差模电压从10uV降为2.2uV。可见加大X电容对共模转差模的抑制作用明显。由此可见，我们在L或N中加入差模电感，会引起阻抗不平衡导致共模转化为差模；将差模电感对称放置，可以抑制这种转化；在L或N中加入差模电感，同时在输入端放置X电容，并且根据情况加大这个电容，也可以抑制这种转化。(尤其是第三点，大家可以看一些大厂的经典设计，很多都是输入端进来就是一个X电容，这个不是随意放置的，是有EMI的设计理念在里面。)
2、EMI传导中差模转化为共模的原因以及对策
首先建立仿真模型，如下图：
仿真模型
上面的原理图中，差模电压=V2-Vgnd，共模电压=V1-Vgnd，在saber中，默认参考地就是gnd，因此只要直接看V1、V2电压就可以了。C7和C8为模拟的所加Y电容，仿真中分别设置500pF和0pF来模拟。AC 分析，查看共模电压的频率曲线如下：
共模电压的频率曲线
同时也看一下，所加Y电容500pF和0pF对差模有什么影响。曲线如下：
曲线二
从仿真结果可以看出：在Y电容为0pF的时候，共模电压的频率曲线是衰减的。当加入两500pF的Y电容后，共模电压的频率曲线在某个频点发生了转折。说明这频点之后，对共模电压的抑制能力减弱了！实际的表现就是加入Y电容后共模反而变差了。针对这个现象我们可以考虑把之前所加的Y电容放在差模电感的前面。见下图：
电路图
仿真结果：V1为共模，V2为差模
仿真结果
在我的这个模型里是的，Y电容加在差模电感前的效果要优于放置在电感后。实际中参数更复杂，要看哪个因素占主导。因此把所加的Y电容放在差模电感前面，可以使转择点往后移，对抑制共模的效果更好。所以在这里我们可以总结为要抑制差模转化为共模需要将Y电容放置在差模电感的前面；使L/N线阻抗平衡，此例中如将差模电感对称放置，这样即使把Y电容放在差模电感的后面，对共模也有好的抑制效果。
经过以上的实践，我们不难看到不管差模转共模还是共模转差模，本质原因都是阻抗不平衡引起的。信号都是走低阻抗路径，在不同的频率下，线路阻抗在变化，信号走向在变化，就出现了互相转化结果。知道了这其中的道理，在碰到相关的问题的时候，解起来就会有事半功倍的效果。
