设计人员经常假定目录中最低电阻的MOSFET将具有最强的SOA。这背后的逻辑是 - 在相同的硅片生产中较低的电阻通常表明封装内部有较大的硅芯片，这确实产生了更好的SOA性能和更低的结至外壳热阻抗。然而，随着硅片的更新迭代提高了单位面积电阻（RSP），硅片也倾向于增加电池密度。硅芯片内部的单元结构越密集，芯片越容易发生热击穿。这就是为什么具有更高电阻的旧一代FET有时也具有更好SOA性能的原因。总之，调查和比较SOA是非常有必要的。
请在TI官网了解更多各种热插拔控制器的信息。本文末尾的表1-3重点介绍了用于热插拔的一些设备，它们为SOA功能提供了部分参考值。
