研究报告结果归纳如下：
“如果X射线的剂量是检测印刷电路板所适用的典型剂量，则不会影响恒忆浮栅闪存的阈值电压分布。
当把X射线剂量人为提高到一个异常数值时，阈值电压被强制偏移。这种现象可用于评估安全系数，即存储内容开始受到X射线影响的条件。
对于恒忆闪存，这个系数至少在1000倍射线剂量的范围内。 “
基本原则是，在完全电擦除电编程存储晶体管的阈值电压参数分布上，选择特性描述明确的待测器件，利用我们的合作伙伴的X射线检测系统发射的X射线照射待测器件。
然后重新描述阈值电压参数分布，并再次测量存储阵列(每个位)的每个晶体管的阈压。
我们在测试中使用了不同的照射时长、滤波器材料、X射线管的距离、电流和电压，并标注了不同的配置条件所使用的X射线剂量。
在正常制造目的所用的标准配置情况下，X射线剂量总是低于1 Rad。
这个剂量数值对恒忆闪存的阈值电压参数分布未产生任何可以测量的影响。
这意味着恒忆客户使用X射线检查提前焊好的印刷电路板，无需给闪存重新编程，无需对在正常制造过程中已完成擦除操作的闪存进行擦除操作，也无需为确保存在存储阵列的数据的可靠性而应用一个双重编程算法。
下图是在对整个存储阵列施加低于1Rad剂量的X射线前后的阈压分布曲线和对整个存储阵列施加30 Rad的X射线前后的阈压分布曲线，被测试器件是恒忆的车用16Mbit串行闪存M25P16。
图3 施加1 Rad / 30 Rad射线前后的阈压分布曲线图
为证明前述测试结果的有效性，查找可能的临界条件，X射线剂量值被提高1000倍 (2.5 KRad )，并进行两次回流焊。
图4 在受2500 Rad射线照射前后的阈压分布曲线
在相关的白皮书中还能查到更详细的技术信息。
