曾经从课堂和教材中我们学习到“MOSFET适合并联工作，因为其是正温度系数”的观点。所以许多工程师很少对此提出疑问。但在我们不断实践的过程中，偶尔会有一些思考，那就是：MOS总是正温度系数吗？本文中将对这一疑问进行讨论、推理和说明。其中一些结论根据实际案例得出，仅供大家参考与讨论。
下面我们看一个出现负温度系数的设计实例：设计在15V，从0V~15V有个过程，在这个过程中就出现了负温度系数。并且这个过程中出现了并联的时候在一种型号管子正常的情况下，然后仅仅换了另一种型号的管子（其他参数不改）却出现炸管现象。
经过推论这有可能与开关的速度有关，如果速度比较慢，停留在负温度系数的时间比较长，就会炸管。温度多少不是关键，关键的是这里存在一个正反馈的过程，即温度越高，流过的电流越大。如果穿越这个负温度系数区域的时间太长就会炸管。因此MOS也存在负温度系数，不注意的话可能引起致命问题。针对换了另一种型号的管子（其他参数不改）却出现炸管现象可以这样理解：
MOSFET工作在饱和状态的IV特性
这个图说的是MOSFET工作在饱和状态的IV特性，即Vgs在9V以下时，Id是正温度系数，因为随着温度的增大Id也增大。但是MOSFET并联工作，是工作在线性电阻方式，虽然这里没有给出线性电阻方式时的曲线，但我们可以非常容易的推知，线性电阻Rds 是负温度系数的，因为温度升高Id增大，所以Id/Vds就增大了，而这时gm，所以电阻Rds减小了。因此MOSFET线性电阻方式时，温度系数是正还是负，即Id是正温度系数，而Rds是负温度系数的。但是这个图里，Vgs大于9V后，就正好相反了，Rds是正温度系数，而Id是负温度系数。如果一个MOS工作在Id 正温度系数方式，一个工作在负温度系数方式，则温度升高时，正温度的Id越来越大，负系数的越来越小，最后导致一个导通一个不导通。
解决方法
我们可以加快开通速度，快速经过负温度系数区域，关断过程也一样的道理。MOSFET在开通的过程中，RDS(ON)从负温度系数区域向正温度系数区域转化;在其关断的过程中，RDS(ON)从正温度系数区域向负温度系数区域过渡。快速开通和关断MOS，可以减小局部能量的聚集，防止晶胞单元局部过热而损坏。
