IBM祭出黑科技 新存储技术终结设备卡顿

2016-05-19 10:20 来源:电子信息网综合 作者:铃铛

电脑运行迟缓、手机打开应用卡顿,相信这两种情况都是大家在日常生活中经常遇到的。系统反应迟缓的原因非常多,其中占比最多的就是内存消耗过大造成的卡顿。不过这个让人生厌的问题在未来或许能够被顺利解决,近日IBM宣布在内存处理技术上获得了重大突破,这项突破将帮助电子设备提高运行速度。

根据报道,IBM当地时间周二宣布了其在“相变化内存”技术上取得的重大进步,而这一技术进步则将帮助人们突破现有电子设备运行速度的瓶颈。

事实上,“相变化内存”多年来一直处于研发阶段,但IBM认为这项技术的成本已降至了可被消费者电子设备接受的范围内。同时,这一技术对于诸如Facebook这些需要迅速访问大量信息的企业也会带来巨大帮助。

据悉,IBM研究员哈里斯-珀奇迪斯在当时间周二的巴黎存储技术大会上首次公布了公司取得的这一成绩,而他则相信“相变化内存”会在2017年正式投入商用。

简单来说,“相变化内存”需要对芯片内特殊微型玻璃材料进行电加热,而这些材料中每个单元的降温方式则决定了芯片中所保存的数据大小。比如,在逐步降温的过程中,材料原子将会呈晶格式排列。而在迅速降温时,材料原子的排列将杂乱无章。不过,IBM已经对这项技术进行了改进以确保其能够存储更多的数据位。而早在2011年,IBM就成功实现了在单个单位中保存两位数据。

在本周巴黎存储技术大会上,珀奇迪斯宣布“相变化内存”单位已可以保存三位数据。而在一块芯片中保存更多的数据就意味着这一技术成本的下降,因此其相较于传统存储技术也更具竞争优势。

大多数人都将计算机、电子设备在近年来取得的逐步进步认作是理所应当的事情。但事实上,无论是笔记本变得更薄还是网络速度变得更快的背后都凝聚了无数人的辛勤劳动和付出。而且,将一项新技术正式投入商用也不是一件简单的事情。

目前,人们使用的手机和PC设备通常会同时使用两种技术保存数据,它们分别是能耗较大的DRAM动态存储和存取速度较慢、成本较低、即便在断电情况下也能保存数据的闪存。不过,“相变化内存”结合了DRAM和闪存的优点。具体来说就是,DRAM动态存储的存取速度是“相变化内存”的5到10倍,但后者的存取速度却是闪存的70倍左右。因此,使用“相变化内存”技术的手机应用加载速度将比闪存更快。

按照目前的发展趋势,IBM认为在未来的某一天相变化内存技术的成本终将低于目前传统的DRAM。如果顺利的话,其成本甚至有可能降低到与闪存相当,不过这一过程将有可能较为缓慢且充满艰辛。另一方面,目前很多厂商已经在闪存的改进方面取得了较为明显的成绩。苹果公司的新一代平板电脑就是最好的例子。

IBM 相变化内存

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