恒忆闪存基于浮栅技术。闪存晶体管的绝缘栅极(浮栅)捕获(或排除)电子，因此，晶体管的阈值电压被修改(偏离原始电压值)。在附加的编程和阈压感应电路的辅助下，这种效应可用保存和检索数据。
在写操作期间，闪存内置的电荷泵生成一个高电压值(Vpp)，然后被施加到晶体管的控制栅极上。这个过程使电子通过隧道效应进入所谓的半导体结构的浮栅上，电子被俘获在浮栅上的电子陷阱内。最终的状况是一个被写入数据的存储单元，即一个存储二进制数字 “±0”的存储单元。在详细规定的电条件下，应用一个“擦除过程”可以从浮栅上排除电子;然后，存储单元的逻辑值就会切换到二进制数字 “±1”。
图. 1 对一个闪存晶体管进行写操作
上面简要论述的物理现象就是 “由福勒诺尔德海姆 (FN) 电子隧道效应”。
浮栅内的电子会提高晶体管的阈值电压;在单级闪存单元内，这相当于一个存储二进制数字“0”的存储单元。
图2 在完成写操作后阈值电压被偏移
值得一提的是，虽然前文论述的现象适用于单级闪存单元，但是同一现象也适用于多级单元设计。测试和实验证明，这个现象对于单级和多级架构都是有效的。
众所周知，高电磁能源可引起浮栅内的被俘电子损失(这相当于损失浮栅内贮存的全部电荷)。结果可能是导致存储单元内存储的逻辑信息丢失。
X射线是一种可能会损害闪存存储的信息的外部高能源。很多质保应用都会用到X射线，例如，在最终测试阶段发现故障后，修理应用电路板时需要使用X射线。X射线可对PCB电路板进行3D断层照相，也能分析电子元器件内部结构。海关用X射线摄影技术检查通关商品。
图 : 恒忆BGA封装的3D断层照相细节
由于闪存在生命周期内因为多种原因可能会被X射线照射，因此，必须确认两个重要问题：X射线对闪存内容的可靠性有无影响;存储阵列在被X射线照射后是否需要擦除操作并重新写入代码。
乍一看，在经X射线检查后，重新对整个存储阵列进行写操作可能是一个简单、可靠且有成本效益的解决方案。但是，事实并不是这样，因为在很多情况下，重新给闪存编程需要昂贵的测试设备，向每一个需要重新编程的闪存发送串行数据流。这个写操作可能需要几分钟甚至更长时间，从而会重重影响整体制造流程进度。
因此，为避免(如可能)重新写入存储器内容，了解X射线对恒忆存储器存储的数据可靠性的真实影响具有重要意义。
在一个主要的汽车电子系统供应商(恒忆的合作伙伴)支持下，恒忆围绕X射线对存储器数据可靠性的影响问题进行了一次深入的测试分析，详见下文。在这家合作公司中，我们用现有的质量检测设备对待测器件进行了X射线照射。
