AFE IC的基本限制来自电压基准
假如电压基准下降了1%，则所有的读数都将增加1%。电压基准是由某种物理量产生的，可以是反向偏置PN结的雪崩击穿(一个齐纳基准)、两个基极-发射极电压之差(一个带隙基准)、或一个电容器上存储的电荷(一个EPROM基准)。每个AFE IC在生产中都进行了微调，以使电压基准的初始值非常准确。不幸的是，视IC技术的不同而不同，电压基准可能随着时间、温度、湿度和印刷电路板(PCB)组装应力的不同而产生极大的变化。这导致一些IC厂商只提出“典型”准确度，而关于AFE IC在真实世界中会怎样表现则未提供指导。
要在严酷的汽车环境中运行，最佳技术是齐纳基准。数年来，凌力尔特新的LTC6804 AFE电池组监视器IC运用齐纳电压基准技术，以保持优于所需的准确度。LTC6804比前一代产品有了显著改进，前一代产品依靠带隙电压基准。例如，考虑PCB组装所产生的应力。AFE IC在焊接过程中会遭受几种热冲击。在塑料封装和铜引线框架的膨胀和收缩过程中，芯片会经受机械应力。带隙基准的表现就像一个应变计，将机械应力转换成基准电压的变化。电压基准的任何变化都会直接降低电池测量的准确度。PCB器件应力的影响示于图3，在热冲击之前和之后对10个AFE IC(3种类型)进行了测量。基准漂移以电池测量误差(单位是mV)来表示(假设采用的是一个3.3V电池)。
mV of additional measurement error due to PCB assembly：由于PCB组装而产生的额外测量误差(单位mV)
Number of units out of 10：来自10个器件的个数
Competitor：竞争对手的器件
