关于EMI传导和辐射超标对策，在没有相关EMI测试设备的情况下，往往会让工程师们格外的头疼，有时候我们可能需要很长时间才能够搞定这个问题。本文主要是针对EMI传导辐射超标问题进行实例分析，希望能够结合理论与经验来有针对性的进行整改，来达到最终效果。
首先我们来了解一下散热片、屏蔽层、Y电容的作用机理。以反激拓扑为例，我们先看看散热片的作用，见下图：
散热片的作用
在图中我们可以看到其中C1为MOS与散热片的寄生电容，C2为散热片与大地PE之间的寄生电容。散热片悬空时，共模电流icm会通过C2流到大地，从而被LISN拾到，导致共模干扰增加。散热片接地时，共模电流icm被短路到原边干扰源的地，不经过LISN，即降低了共模干扰。看看变压器屏蔽层的作用，见下图。
变压器屏蔽层的作用
从上面的分析可以看出，其实散热片、屏蔽、Y电容，对EMI的作用机理是一样的，即都是为干扰信号提供一条低阻抗回路，让干扰信号返回源端，让其不从LISN经过。
共模&差模路径和简化模型
以反激拓扑为例，同时由于副边的dV/dt一般较小，这里省去了，突出主要部分。
差模的路径和模型
从以上可以看出Cbus对EMI的影响，尤其是冷热机的差异。电解的ESR随着温度的升高而降低，有利于干扰信号的流过，这也是一些案例热机后EMI会变好的原因之一。
共模路径和简化模型
从以上的模型可以看出，不管是差模还是共模，EMI的本质就是欧姆定律。无非就是串联分压和并联分流，通过各种方法让LISN少分压、少分流而已。
