芯片已迈过3D坎 TSV制程日渐成熟

2014-11-24 10:42 来源:电子信息网 作者:娣雾儿

大家听说过类比积体电路设计吗,已逐渐进入三维晶片(3D IC)时代。在成功量产3D IC方案后,类比晶片公司又开始建设类比3D IC生产线,透过矽穿孔(TSV)与立体堆叠技术,在单一封装内整合采用不同制程生产的异质类比元件,以提升电源晶片、感测器、无线射频(RF)等各类比方案效能。

奥地利微电子认为3D IC技术将扩大类比晶片市场商机,随着现今电子产品功能愈来愈多,设备制造商为确保产品功能可靠度,其内部的类比晶片数量正快速增加,导致印刷电路板(PCB)空间愈来愈不够用,且系统设计难度也与日俱增,因此类比晶片制程技术势必须有全新的突破,才能克服此一技术挑战。

有别于数位逻辑晶片通常有标准型封装技术,类比晶片的封装技术种类既多且复杂,每一个元件甚至拥有属于本身较有利的制程技术,因此进行异质整合的难度也较高,造成类比晶片在3D IC领域的发展较为缓慢。所幸目前已有不少晶圆厂与晶片业者正大举投入TSV技术研发,让此一技术愈来愈成熟,将引领类比晶片迈向新的技术里程碑。

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3D TSV

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