LDO环路稳定性及其对射频频综相位噪声的影响

2014-01-20 14:03 来源:电子信息网 作者:蒲公英


2、LDO噪声与VCO输出相噪的关系

电源引入噪声对锁相环中各个有源器件都可能造成影响,其中最为敏感的部分是VCO,本文将着重讨论LDO输出噪声对VCO相噪的影响。

一个典型的LDO供电的频综系统框图如图7所示:加载在电源上的噪声信号通过频率调制过程调制到VCO的输出,造成VCO输出相噪恶化。

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根据经典调频系统理论,调制指数β由式(3)来表示

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对于电源噪声调制,式中的频率背离(Frequency Deviation)可由下式得到

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式中,Kpush是VCO的电源推压指数,它表征的是VCO对电源噪声波动的灵敏度,单位用MHz/V来表示;A是电源噪声信号幅度。

对于采用LDO供电的射频频综来说,通常用LDO的指定频率偏移的频谱噪声密度Sldo(f)(Noise Spectrum Density)来表征电源噪声,由于它是一个RMS电压值,所以式(4)可以表示为

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式中,f是相应的频率偏移。

由不同频率成分噪声调制到载波输出引起的单边带噪声,由下式表示

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由式(8)可见,对于给定的VCO,由于Kpush是一个确定的值,因此由LDO噪声引起的VCO输出相噪是由LDO的噪声频谱密度(Noise Spectrum Density)决定的。

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射频 LDO 环路稳定性

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