3、采用不同LDO进行射频频综供电对比测试
3.1 TPS7A8101/TPS74401频综供电对比测试
TPS7A8101和TPS74401是TI推出的两款高性能LDO芯片。与TPS74401相比，由于具有更高的环路增益和带宽，TPS7A8101具有更高的电源噪声抑制比(PSRR);然而，由于具有更好的系统稳定性，TPS74401拥有更低的噪声频谱密度(NSD)，如下图8所示。
下面我们分别采用TPS7A78101和TPS74401评估板对TRF3765评估板进行供电，比较两者的输出相噪。测试设置如下图9所示，LDO的输入5V电源由Agilent E3634提供，通过LDO评估板后转变成3.3V给TRF3765供电。TRF3765采用评估板上自带的61.44MHZ晶振作为参考输入，输出频率为2.28GHz.TRF3765的射频输出连到R FSQ8相噪分析仪上测试相应的相噪曲线。
两者对比测试结果如下图10所示，
由上图看见，采用TPS7A8101供电，TRF3765在整个积分区间内(1KHz~10MHz)的RMS抖动为0.62ps;而TPS74401的RMS抖动仅为0.44ps.
3.2 TPS7A8101输出电路优化及其对频综相噪的影响
TPS7A8101评估板初始原理图如图11所示，由上节的测试结果可知，采用该电路给TRF3765供电，RMS抖动为0.62ps.
第一章中我们已经讨论了LDO加一个前馈电容可以有效的提高电源的环路稳定性，从而降低LDO的输出噪声频谱密度。基于此，我们在TPS7A8101输出加一个0.47μF的前馈电容，修改后的原理图如下图12所示。
针对修改前后的设计，我们对比测试了相应的TRF3765相噪曲线，如图13所示，由图可见，增加0.47μF输出电容后，1KHz到10MHz的RMS抖动由0.62ps提高到0.49ps.
