LDO环路稳定性及其对射频频综相位噪声的影响

2014-01-20 14:03 来源:电子信息网 作者:蒲公英


4结论

综合以上两组测试的测试结果,可以得到下表

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由表1可以看到,由于TPS74401的噪声频谱密度最小,在给频综供电的时候可以取得最好的相噪性能;TPS7A8101噪声频谱密度相对较大,在给频综供电的时候取得的相噪性能相对较差;但是通过优化TPS7A8101的输出电路设计,频综的相位噪声得到了明显的改善。

实测结果很好的验证了前文的理论分析,即:LDO的噪声频谱密度参数(NSD)决定了由电源噪声引起的VCO相噪恶化;通过提高LDO的环路稳定性可以达到降低噪声频谱密度的目的,从而改善频综的输出相噪。

5、参考文献[1] LDO Noise Examined In Detail (SLAA412)

[2] LDO Noise Demystified (SLYT489)

[3] Externally Inducted VCO Phase Noise, DENNIS COLIN, Mica Microwave

[4] TPS74401 Datasheet (SBVS066M)

[5] TPS7A8101 Datasheet (SBVS179A)


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射频 LDO 环路稳定性

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