大家听说过类比积体电路设计吗，已逐渐进入三维晶片(3D IC)时代。在成功量产3D IC方案后，类比晶片公司又开始建设类比3D IC生产线，透过矽穿孔(TSV)与立体堆叠技术，在单一封装内整合采用不同制程生产的异质类比元件，以提升电源晶片、感测器、无线射频(RF)等各类比方案效能。
奥地利微电子认为3D IC技术将扩大类比晶片市场商机，随着现今电子产品功能愈来愈多，设备制造商为确保产品功能可靠度，其内部的类比晶片数量正快速增加，导致印刷电路板(PCB)空间愈来愈不够用，且系统设计难度也与日俱增，因此类比晶片制程技术势必须有全新的突破，才能克服此一技术挑战。
有别于数位逻辑晶片通常有标准型封装技术，类比晶片的封装技术种类既多且复杂，每一个元件甚至拥有属于本身较有利的制程技术，因此进行异质整合的难度也较高，造成类比晶片在3D IC领域的发展较为缓慢。所幸目前已有不少晶圆厂与晶片业者正大举投入TSV技术研发，让此一技术愈来愈成熟，将引领类比晶片迈向新的技术里程碑。
