科技圈电子界的人都知道Intel 14nm工艺的过人之处，近日，日本同行PCWatch对Intel新工艺做了一番解析，更加凸显世界第一的芯片巨头有多强悍。
Intel 22nm曾经在工艺上率先使用了3D立体晶体管，到14nm则将进化到第二代；此外，其他厂商也陆续发布了类似的FinFET，包括台积电16nm、三星/GlobalFoundries 14nm。
来看看它们的间距数据对比：
Intel 14nm的栅极间距为70nm，内部互联最小间距为52nm，这两项指标分别比22nm缩小了22%、35%。
相比之下，台积电16nm、三星/GF 14nm的栅极间距分别是90nm、78nm，前者只相当于Intel 22nm的水平，后者也略弱一些，而内部互联最小间距则都是64nm，相比于Intel大了23%。
可以说间距越小就可以把晶体管做得更小、更密，对于电路集成度、芯片性能等指标的重要性不言而喻。
