在如今的芯片制造领域中，英特尔算是能够挤进前三排名的公司之一。虽然其他的厂商正在大力的发展3D FinFET技术，试图与因特尔相抗衡，但是却还没有一家能够做到真正对英特尔产生威胁。而目前，这一现象似乎要被IBM所打破了。
根据相关爆料，IBM很有可能将在2014年的年底将14纳米的技术正式投产到芯片生产过程中。另外，IBM还会还会透露其高密度的存储器、可扩展的功率分配以及600平方厘米的SoC。但是现在不确定的是这些技术是否将依赖于三星。
大部分人都清楚，当某个行业的两家龙头企业产生竞争的时候，受益最大的往往是市场中的消费者。目前英特尔正努力开发其最新的FinFET设计，而IBM的两大FinFET技术选择可能更容易吸引用户。
既然是比较相似的产品，两家公司各自的竞争力又在哪里呢?这就要从IBM和英特尔的发展战略方向上说起了。英特尔还是一贯性的使用传统块状硅来支持其努力FinFET设计，这也可以使其在2-4年内在竞争对手中保持领先。从2011年开始，英特尔已经在22nm Ivy Bridge技术和Haswell微架构处理器中使用FinFET制程。最近英特尔还宣布其成功移植FinFET技术到14nm Broadwell微架构，这是最新的Core M处理器系列的核心。
而IBM方面则使用了造价较为高昂的SOI基板来研发相关芯片。这样可以简化制造过程，而且可以实现芯片的低功耗性能。不过英特尔这面也不示弱，将揭秘其加工“秘方”，包括参杂技术。
不走寻常路的IBM
基于更为昂贵的SOI板，IBM将创造一种全新的14纳米制程方法。并且此款14nm FinFET比22nm的处理速度快25%。与此同时，IBM也会展示全球最小、最密集的DRAM单元，仅仅只有0.0174平方厘米大小。IBM还拥有独有的制程，可同时实现低功耗和高速运行功能。该公司还会在此次竞争中大肆炫耀其15级铜互连技术来促进功率分配，这些都会成为IBM与英特尔之争的有力因素。
将技术实体化至产品上，那么此次PK战的看点就比较明显了。英特尔将主打基于14纳米技术的FinFET晶体管，而IBM将祭出造价更为高昂的SOI板，来为自家的产品保驾护航。在战前的前期宣传中，两家公司都在展示着各种各样的数据，但是真正能够考验一款产品的，恐怕还是上市之后的实际使用效果和消费者的反应。
