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三星在八英寸硅基板上成功试制常闭型GaN功率元件

2013-06-09 11:31 来源:电源网 编辑:云际

三星电子在直径为8英寸(200mm)的硅基板上,试制出了为栅极加载正电压就会导通的“常闭工作型”GaN功率元件,该元件使用的硅基板的直径一般为6英寸。将直径增大到8英寸后,可以提高生产效率,削减成本。

GaN功率元件采用的是由GaN和AlGaN构成的“HEMT构造”。在这种构造下,GaN与AlGaN的接合部会产生二维电子气,难以实现常闭工作。但出于安全性考虑,非常需要电源电路为常闭工作方式。为此,三星在栅极部分设置了p型GaN层,从而实现了常闭工作。

GaN功率元件耐压为670V、阈值电压为2.8V。此外,封装在TO-220封装中的GaN功率元件,其耐压为850V,阈值电压为3.3V,但未公布芯片尺寸,栅极宽度为100μm。

另外,关于常闭工作型GaN功率元件的用途,三星方面表示“可考虑用于白色家电”。

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